ການນຳໃຊ້ 5G ປະຈຸບັນປະກອບມີແຖບຍ່ອຍ 6G ຂອງ 3 ຫາ 5 GHz ແລະແຖບຄື້ນ millimeter ຂອງ 24 GHz ຫຼືສູງກວ່າ.ການເພີ່ມຄວາມຖີ່ຂອງການສື່ສານບໍ່ພຽງແຕ່ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີຄຸນສົມບັດ piezoelectric ຂອງວັດສະດຸໄປເຊຍກັນເປັນທີ່ພໍໃຈ, ແຕ່ຍັງຕ້ອງການ wafers thinner ແລະໄລຍະຫ່າງ electrode interfingered ຂະຫນາດນ້ອຍກວ່າ, ສະນັ້ນຂະບວນການ fabrication ຂອງອຸປະກອນແມ່ນສິ່ງທ້າທາຍຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.ເພາະ​ສະ​ນັ້ນ​, ການ​ກັ່ນ​ຕອງ​ສຽງ​ພື້ນ​ທີ່​ກະ​ກຽມ​ຈາກ​LNໄປເຊຍກັນແລະ lithium tantalate crystal, ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຍຸກ 4G ແລະກ່ອນ, ກໍາລັງປະເຊີນກັບການແຂ່ງຂັນຂອງ.ສຽງດັງຫຼາຍອຸປະກອນຄື້ນ (BAW) ແລະຟິມບາງໆຫຼາຍສຽງສະທ້ອນສຽງtor(FBAR) ໃນຍຸກ 5G.

ການຄົ້ນຄວ້າຂອງLNcrystal ໃນການກັ່ນຕອງຄວາມຖີ່ທີ່ສູງຂຶ້ນໄດ້ມີຄວາມກ້າວຫນ້າຢ່າງໄວວາ, ແລະເທກໂນໂລຍີການກະກຽມວັດສະດຸແລະອຸປະກອນຍັງສະແດງໃຫ້ເຫັນເຖິງທ່າແຮງອັນໃຫຍ່ຫຼວງ.ໃນປີ 2018, Kimura et al.ກະກຽມອຸປະກອນຄື້ນສຽງຮົ່ວຕາມລວງຍາວ 3.5 GHz ໂດຍອີງໃສ່ 128°YLNຊິບ.In 2019 Lu et al.ກະກຽມເສັ້ນຊັກຊ້າໂດຍໃຊ້LNຟິມໄປເຊຍກັນດຽວທີ່ມີການສູນເສຍການແຊກຂັ້ນຕ່ໍາຂອງ 3.2 dB ທີ່ 2 GHz, ເຊິ່ງສາມາດນໍາໃຊ້ກັບການປັບປຸງຄວາມຖີ່ຂອງການສື່ສານ 5G ມືຖື (eMMB).ໃນປີ 2018, Yang et al.ກະກຽມLNresonato ກັບຄວາມຖີ່ສູນກາງ 10.8 GHzແລະການສູນເສຍການແຊກ 10. 8 dB;ໃນປີດຽວກັນ, Yang et al.ຍັງລາຍງານ 21.4 GHz ແລະ 29.9 GHz resonators ໂດຍອີງໃສ່LNຮູບ​ເງົາ​ໄປ​ເຊຍ​ກັນ​, ເຊິ່ງ​ສະ​ແດງ​ໃຫ້​ເຫັນ​ເພີ່ມ​ເຕີມ​ຄວາມ​ສາ​ມາດ​ຂອງ​LNcrystal ໃນອຸປະກອນຄວາມຖີ່ສູງ.ນັກຄົ້ນຄວ້າເຊື່ອວ່າມັນສາມາດຕອບສະ ໜອງ ຄວາມຕ້ອງການການກັ່ນຕອງດ້ານ ໜ້າ ທີ່ມີຂະ ໜາດ ນ້ອຍໃນ K_aແຖບ (26.5 ~ 40 GHz) ໃນເຄືອຂ່າຍ 5G.ໃນປີ 2019, Yang et al.ລາຍງານຕົວກອງ C-band ໂດຍອີງໃສ່LNຟິມໄປເຊຍກັນດຽວ, ເຮັດວຽກຢູ່ທີ່ 4.5 GHz.

ເພາະສະນັ້ນ, ດ້ວຍການພັດທະນາຂອງLNໄປເຊຍກັນດຽວເປັນອຸ​ປະ​ກອນ​ຮູບ​ເງົາ​ບາງ​ແລະ​ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​ອຸ​ປະ​ກອນ​ສຽງ​ສຽງ​ໃຫມ່​, ເປັນ​ຫນຶ່ງ​ໃນ​ອຸ​ປະ​ກອນ​ຫຼັກ​ຂອງ​ການ​ສື່​ສານ 5G ໃນ​ອະ​ນາ​ຄົດ​,ໄດ້ການກັ່ນຕອງ RF ດ້ານຫນ້າໂດຍອີງໃສ່LNcrystal ມີຄວາມສົດໃສດ້ານຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ສໍາຄັນ.

ເຊລ LN crystal ແລະ LN Pockels ຄຸນນະພາບສູງ ພັດທະນາໂດຍ WISOPTIC (www.wisoptic.com)